ଥର୍ମୋଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ବିସମୁଥ ଟେଲୁରାଇଡ୍ P-ଟାଇପ୍ Bi0.5Sb1.5Te3 ବ୍ଲକ୍ କିମ୍ବା ପାଉଡରର କାରଖାନା ମୂଲ୍ୟ

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଉତ୍ପାଦ ନାମ: P-ଟାଇପ୍ Bi0.5Sb1.5Te3

N-ଟାଇପ୍ Bi2Te2.7Se0.3

ଶୁଦ୍ଧତା: ୯୯.୯୯%, ୯୯.୯୯୯%

ଦୃଶ୍ୟମାନତା: ବ୍ଲକ ଇନଗଟ୍ କିମ୍ବା ପାଉଡର

ବ୍ରାଣ୍ଡ: ଇପୋକ୍-କେମ୍

ଟର୍ଣ୍ଣାରୀ ଥର୍ମୋଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ବିସମୁଥ ଟେଲୁରାଇଡ୍ P-ଟାଇପ୍ Bi0.5Sb1.5Te3 ଏବଂ N-ଟାଇପ୍ Bi2Te2.7Se0.3 ଯୋଗାଣ କରନ୍ତୁ

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ପରିଚୟ

ଉତ୍ପାଦ ନାମ: P-ଟାଇପ୍ Bi0.5Sb1.5Te3

N-ଟାଇପ୍ Bi2Te2.7Se0.3

ଶୁଦ୍ଧତା: ୯୯.୯୯%, ୯୯.୯୯୯%

ଦୃଶ୍ୟମାନତା: ବ୍ଲକ ଇନଗଟ୍ କିମ୍ବା ପାଉଡର

ବ୍ରାଣ୍ଡ: ଇପୋକ୍-କେମ୍

କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା

TIG-BiTe-P/N-2 ଥର୍ମୋଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଇନଗଟ୍ Bi, Sb, Te, Se, ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଡୋପିଂ ଏବଂ ଆମର ଅନନ୍ୟ ସ୍ଫଟିକୀକରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ମିଶ୍ରଧାତୁ ସହିତ ଚାଷ କରାଯାଏ। Bi2Te3-ଆଧାରିତ ଥର୍ମୋଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଇନଗଟ୍ ବିଶେଷ ଭାବରେ ଚାଷ କରାଯାଏ ଏବଂ 100℃(373K) ରୁ 350℃(623K) ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉତ୍ସକୁ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ରେ ପରିଣତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଥର୍ମୋଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରାଯାଏ। ସାଧାରଣତଃ, 300K ରୁ 600K ତାପମାତ୍ରା ପରିସର ଉପରେ ଆମର p-ଟାଇପ୍ ଏବଂ n-ଟାଇପ୍ ଇନଗଟ୍‌ଗୁଡ଼ିକର ହାରାହାରି ଯୋଗ୍ୟତା ZT 0.7 ରୁ ବଡ଼ ହୋଇଥାଏ। ଏହିପରି ଇନଗଟ୍‌ ସହିତ ତିଆରି ମଡ୍ୟୁଲ୍ 250℃ ଡେଲ୍ଟା T ସହିତ 5% ଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରିପାରିବ। ଏହି ସମୟରେ, ଆମର ଇନଗଟ୍ ଭଲ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସ୍ଥିର ଗୁଣ ସହିତ ବଛାଯାଇଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ପଥର ପ୍ରଦାନ କରେ।

ଆଇଟମ୍‌	ବିସମୁଥ ଟେଲୁରାଇଡ୍, bi2te3
N ପ୍ରକାର	Bi2Te2.7Se0.3
P ପ୍ରକାର	Bi0.5Te3.0Sb1.5
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ	ବ୍ଲକ ଇନଗଟ୍ କିମ୍ବା ପାଉଡର
ZT	୧.୧୫
ପ୍ୟାକିଙ୍ଗ	ଭାକ୍ୟୁମ୍ ବ୍ୟାଗ୍ ପ୍ୟାକିଂ
ପ୍ରୟୋଗ	ଶୀତଳୀକରଣ, ଶୀତଳୀକରଣ, ଥର୍ମୋ, ବିଜ୍ଞାନ ଅନୁସନ୍ଧାନ
ବ୍ରାଣ୍ଡ	ଯୁଗ

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ	ପି-ଟାଇପ୍	N-ଟାଇପ୍	ଉଲ୍ଲେଖିତ
ନମ୍ବର ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ	ଦ୍ୱି- P-2	ଦ୍ୱି- N-2
ବ୍ୟାସ (ମିମି)	୩୧±୨	୩୧±୨
ଲମ୍ବ (ମିମି)	୨୫୦±୩୦	୨୫୦±୩୦
ଘନତା (ଗ୍ରା/ସେମି3)	୬.୮	୭.୮
ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପରିବାହିତା	୨୦୦୦-୬୦୦୦	୨୦୦୦-୬୦୦୦	୩୦୦ ହଜାର
Seebeck Coefficient α (μ UK-1)	≥୧୪୦	≥୧୪୦	୩୦୦ ହଜାର
ତାପଜ ପରିବାହୀତା k(Wm-1 K)	୨.୦-୨.୫	୨.୦-୨.୫	୩୦୦ ହଜାର
ପାଉଡର ଫ୍ୟାକ୍ଟର P(WmK-2)	≥0.005	≥0.005	୩୦୦ ହଜାର
ZT ମୂଲ୍ୟ	≥0.7	≥0.7	୩୦୦ ହଜାର
ବ୍ରାଣ୍ଡ	ଯୁଗ-କେମ